Với tốc độ truyền vượt trội lên đến 7.200 Mbps, DDR5 xử lý hiệu quả nhu cầu ngày càng cao của khối lượng công việc dữ liệu lớn hơn, phức tạp hơn. DDR5 mang lại hiệu suất tăng hơn gấp đôi so với DDR4, với gấp đôi độ dài cụm từ 8 lên 16 và tăng gấp đôi ngân hàng từ 16 lên 32. Hiệu suất đáng kinh ngạc nâng cao mức trần về xử lý dữ liệu lớn, đồng thời xử lý liền mạch nội dung 8K.
Quy trình lớp 10nm của Samsung và công nghệ EUV cho phép các đơn vị chip tăng vọt từ 16Gb lên 32Gb. Tăng gấp đôi dung lượng chip có nghĩa là một mô-đun có thể cung cấp lên đến 512GB, để xử lý một cách linh hoạt khối lượng công việc khổng lồ đồng thời, với khả năng mở rộng cho sự đổi mới trong tương lai.
Công nghệ ODECC (mã sửa lỗi ngay lập tức) được áp dụng trong DDR5 giúp duy trì độ tin cậy của dữ liệu an toàn và ổn định, để tận dụng tối đa hiệu suất mạnh mẽ. ODECC hầu như loại bỏ các lỗi bit đơn lẻ để nâng cao độ tin cậy ngay cả với những yêu cầu khắc nghiệt của dữ liệu lớn.
DDR5 đạt được hiệu suất sử dụng điện năng lớn hơn 30% so với DDR4 thông qua việc cải thiện hiệu suất và giảm năng lượng. Thay thế DDR4 của trung tâm dữ liệu bằng DDR5 giúp tiết kiệm điện năng lên đến 1TWh hàng năm. PMIC on-DIMM tiếp tục tăng cường hiệu quả quản lý điện năng và độ ổn định của nguồn điện. Đây là sự lựa chọn bền vững toàn diện cho môi trường của chúng ta.
Thông số kỹ thuật:
- Mã hàng: M425R1GB4BB0-CQK.
- Dung lượng bộ nhớ: 8GB.
- Số lượng mô-đun: 1 mô-đun.
- Tốc độ (Tốc độ dữ liệu): 4800MT/s (PC5-38400).
- Loại mô-đun: SODIMM.
- Độ trễ CAS: CL40.
- Thứ hạng: 1R (Xếp hạng đơn).
- Ghim: 262 Pin.
- Nhiệt độ hoạt động: 0 ° C đến 85 ° C.
- Mật độ DRAM: 16Gbit.
- Điện áp bộ nhớ: 1,1 v.
- Độ sâu bộ nhớ: 1G.
- Tổ chức chip: x16.
- Chiều rộng dữ liệu: X64.
- Thời gian bảo hành: 3 năm.
